5G時(shí)代重要的半導(dǎo)體材料：碳化硅（SiC）的膜厚測量
2020-01-17
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作者：Kevin Hu，優(yōu)尼康科技有限公司技術(shù)工程師
隨著5G大潮的到來，新一代的移動(dòng)通信產(chǎn)品大多具備高功率，耐高溫等特性，傳統(tǒng)原料中的硅(Si)無法克服在高溫、高壓、高頻中的損耗，逐漸被淘汰，跟不上時(shí)代的發(fā)展，無法滿足現(xiàn)代工藝的要求，這就使得碳化硅（SiC）新工藝在半導(dǎo)體行業(yè)嶄露頭角。
目前SiC 產(chǎn)品格局還處于三足鼎立的狀態(tài)，美國、歐洲、日本占據(jù)產(chǎn)值的八成，其中又以美國獨(dú)大，中國雖以即將進(jìn)入5G時(shí)代，但是半導(dǎo)體在SiC方面仍屬于發(fā)展初期，目前在基底、磊晶和零組件方面均有布局。
為了把控和檢測產(chǎn)品工藝，提高技術(shù)生產(chǎn)水平，SiC工藝中管控各種膜厚厚度顯得尤為重要。
我們優(yōu)尼康提供的Filmetrics的光學(xué)膜厚儀，因?yàn)楣鈱W(xué)測量具有快速無損等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)廣泛使用在半導(dǎo)體相關(guān)的企業(yè)中，尤其在近新興的SiC器件量測應(yīng)用中。例如國內(nèi)SiC生產(chǎn)的企業(yè)，中車、華潤上華、啟迪新材料等等。
SiC工藝中常見測量膜層有：SiO2/PESiO2、SiNx、C膜、多晶硅、非晶硅、光刻膠、BPSG/USG等。
為了更好的解決不斷出現(xiàn)的SiC新工藝上的測量問題，也為了能夠幫助半導(dǎo)體企業(yè)更快更好的提高制作工藝，我們優(yōu)尼康公司愿意和廣大廠家一起，為中國芯片添磚加瓦，有任何相關(guān)的測量需求，均可來電和我們技術(shù)工程師溝通探討。
